姓名：高玉琳
性别：女
出生年月：1969年2月
职称：副教授
学院：物理与机电工程学院
研究方向：半导体照明检测实验室建设及检测方法的研究
个人简介：
高玉琳，1969年2月出生，副教授，硕士生导师，主要从事半导体照明检测和半导体化合物光学性质研究。1991年毕业于成都科技大学应用物理系，1991年至1997年在厦门市电子仪器厂从事技术开发工作；1997年9月进入厦门大学物理系，攻读硕士、博士学位，并于2003年获得凝聚态物理专业半导体发光方向的博士学位。2006年起从事半导体照明检测实验室建设及检测方法的研究。
联系方式：
E－mail: ylgao#xmu.edu.cn Tel: 0592-2181681
研究室主页：http://ssl.xmu.edu.cn
科研项目
1. 白光LED辐射度学和色度学参数测量，福建省自然科学基金（主持）
2. 半导体照明评价与测试系统建设，国家863计划（参与）
3. 厚度渐变ZnO基量子阱研究，国家自然科学基金（参与）
4. 福建省半导体照明工程技术研究中心，福建省科技专项（参与）
5. 厦门半导体照明检测体系，厦门市重大科技专项（参与）
代表性论文
1. Yijun Lu,Yulin Gao,Jianshen zhen,The phonon sidebands of exciton bound to NN1 trap in GaAs1-xPx:N(x=0.88) alloys,Solid State Communication,2000,114(1),55-57.
2. Yijun Lu,Yulin Gao,Jianshen zhen,Investigation on the photoluminescence of ordered structure in (AlxGa1-x)0.51In0.49P (x=0.29) alloys,Chinese Physics Letters,2000,17(10),768-769.
3. 吕毅军，高玉琳，郑健生，四元(AlxGa1-x)0.51In0.49P(x=0.29)合金的PLE及极化PL谱，厦门大学学报，2000,39(5),603-607.
4. 吕毅军，高玉琳，郑健生，三元GaxIn1-xP和四元(AlxGa1-x)0.51In0.49P合金喇曼散射光谱研究，功能材料与器件学报，2000,6(4),393-396.
5. 吕毅军，高玉琳，郑健生，(AlxGa1-x)0.51In0.49P (x=0.29)PL谱的温度反常现象，发光学报，2000,21(2),125-128.
6. 高玉琳，吕毅军，郑健生，(AlxGa1-x)0.51In0.49P (x=0.29)光致发光谱的温度依赖关系，半导体光电，2000,21(4),293-295.
7. 高玉琳，吕毅军，郑健生，三元合金Ga0.52In0.48P的喇曼散射谱，发光学报，2001,22(2),107-110.
8. 高玉琳，吕毅军，郑健生，三元有序合金GaxIn1-xP (x=0.52)的时间分辨谱，物理学报，2002,51(1),174-177.
9. Yijun Lu,Yulin Gao,Jianshen zhen,Time-resolved photoluminescence spectra of nominally disordered GaInP alloy,Semiconductor Photonics and Technology,2002,8(1),22-26.
10. 吕毅军，高玉琳，郑健生，部分有序(AlxGa1-x)0.51In0.49P (x=0.29)合金的发光衰退过程，发光学报，2002,23(2),129-132.
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